Транзистор високочастотний HTN7G09S060P 28V 60W 1.8-1000Mhz, LDMOS, для модулів РЕБ
1 127 ₴
- Готово до відправки
- Код: 27873
Транзистор високочастотний HTN7G09S060P 28V 60W 1.8-1000Mhz, LDMOS, для модулів РЕБГотово до відправки
1 127 ₴
+380 (66) 422-79-49
viber
- +380 (73) 670-04-40
- +380 (68) 945-23-58київстар, тільки вайбер
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Високочастотний RF транзистор HTN7G09S060P для модулів РЕБ
HTN7G09S060P — це потужний високочастотний транзистор, розроблений для використання в підсилювачах потужності в широкому діапазоні частот ISM, GSM, LTE та в системах радіелектронної боротьби (РЕБ).
Основні характеристики:
- Діапазон робочих частот: 1.8 – 1000 МГц
- Напруга живлення стоку (VDS): +28 В — робоча напруга, що подається між стоком і витоком транзистора. Забезпечує правильну роботу підсилювача на повній потужності
- Вихідна потужність: 60 Вт
- Середня потужність: 8 Вт
- Форм-фактор корпусу: TO-270, 2 виводи (прямі)
- Тип транзистора: LDMOS
- Робоча температура: -40℃~+150℃
- Відмінна теплостійкість завдяки корпусу з низьким тепловим опором: Завдяки спеціальній конструкції корпусу (TO-270) тепло швидко відводиться, що забезпечує стабільну роботу навіть при високому навантаженні
- Посилена надійність без деградації пристрою: Конструкція підсилювача дозволяє витримувати важкі робочі умови без втрати характеристик і зносу компонентів
- Вбудований ESD-захист: Забезпечує додаткову безпеку при монтажі та експлуатації, захищаючи чутливі елементи від пошкодження статичною електрикою
- Призначення: CDMA,W-CDMA, GSM EDGE/MC-GSM, TDD/FDD LTE, WiMAX, ISM-діапазони
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | China |
| Країна виробник | Китай |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 127 ₴