Транзистор високочастотний PTF080451E 28V 15dB 45W 869-960MHz, для модулів РЕБ

Високочастотний RF транзистор PTF080451E для модулів РЕБ

PTF080451E — це потужний високочастотний RF-транзистор у фланцевому корпусі, розроблений для застосування в радіочастотних підсилювачах, системах радіоелектронної боротьби (РЕБ), передавачах, а також ВЧ-модулях потужного класу. Завдяки повному золотому металізованому покриттю, транзистор забезпечує високу надійність та тривалий термін служби навіть у складних робочих умовах.

Основні характеристики:

• Тип: N-канальний MOSFET. Це тип MOSFET, де провідність відбувається через N-тип напівпровідниковий канал. Його перевагами є: висока швидкість перемикання частот, низьке споживання енергії, висока ефективність
• Діапазон частот: 869–960 МГц
• Тип транзистора: LDMOS, призначений для високочастотного аналогового підсилення
• Вихідна потужність: 45 Вт
• Коефіцієнт підсилення: близько 15 дБ
• Живлення: 28 В
• Корпус: фланцевий, з ефективним тепловідведенням — ідеально для монтажу на радіатори
• Низький КСХ та висока стабільність у широкому діапазоні частот
• Робоча температура: -40℃~+150℃
• Вбудований захист від електростатичних розрядів (ESD)
• Відмінна термостабільність