Транзистор високочастотний BLP15M9S70 32V 12.6A 17.8dB 70W@915MHz-2Ghz, для модулів РЕБ
1 002 ₴
- Готово до відправки
- Код: 27116
Транзистор високочастотний BLP15M9S70 32V 12.6A 17.8dB 70W@915MHz-2Ghz, для модулів РЕБГотово до відправки
1 002 ₴
+380 (66) 422-79-49
viber
- +380 (73) 670-04-40
- +380 (68) 945-23-58київстар, тільки вайбер
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Високочастотний RF транзистор BLP15M9S70 для підсилювачів ISM/GSM/LTE та модулів РЕБ (до 2 ГГц)
BLP15M9S70 — це потужний високочастотний транзистор, розроблений для використання в підсилювачах потужності в широкому діапазоні частот ISM, GSM, LTE та в системах радіелектронної боротьби (РЕБ) до 2 ГГц.
Основні характеристики:
- Потужність: 70W при напрузі 32V; 65W при напрузі 28V
- Напруга: 32V, для досягнення максимальної потужності та ефективності
- Піковий імпульсний струм: 12.6А
- Коефіцієнт підсилення сигналу: 17.8dB
- Частотний діапазон: 915MHz – 2GHz
- Тип корпусу: SOT1482-1 — компактний корпус для поверхневого монтажу (SMD)
- Тип транзистора: LDMOS
- Інтегрований двосторонній захист від ESD (електростатичного розряду)
- Висока ефективність
- Робоча температура: -40℃~+150℃
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | China |
| Країна виробник | Китай |
| Основні атрибути | |
| Тип | Модуль |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 002 ₴