Транзистор високочастотний RD70HVF1 RD70-HVF1 12.5V 20A 10dB 70W@175MHz/50W@520Mh, для модулів РЕБ
1 189 ₴
- Готово до відправки
- Код: 27113
Транзистор високочастотний RD70HVF1 RD70-HVF1 12.5V 20A 10dB 70W@175MHz/50W@520Mh, для модулів РЕБГотово до відправки
1 189 ₴
+380 (66) 422-79-49
viber
- +380 (73) 670-04-40
- +380 (68) 945-23-58київстар, тільки вайбер
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Високочастотний RF транзистор RD70HVF1 для модулів РЕБ та підсилювачів потужності VHF/UHF
Транзистор RD70HVF1 — це потужний високочастотний транзистор, розроблений для використання в системах радіелектронної боротьби та інших високочастотних застосуваннях. Він забезпечує стабільну роботу при низьких напругах 12.5V та здатен витримувати струм до 20A, що робить його ідеальним для підвищених навантажень.
Основні характеристики:
- Потужність: 70W при частоті 175 MHz, 50W при частоті 520 MHz
- Тип: N-канальний MOSFET. Це тип MOSFET, де провідність відбувається через N-тип напівпровідниковий канал. Для включення транзистора потрібно подати позитивну напругу на затвор. Його перевагами є: висока швидкість перемикання частот, низьке споживання енергії, висока ефективність
- Коефіцієнт підсилення сигналу: 10dB
- Напруга: 12.5V
- Максимальний струм: 20A
- Висока ефективність: 60% - на діапазоні VHF. 55% - на діапазоні UHF
- Робоча температура: -40℃~+175℃
- Призначення: для модулів радіелектронної боротьби (РЕБ), де потрібне генерування потужних радіочастотних сигналів.Для підсилювачів потужності VHF/UHF діапазонів, що забезпечують високу ефективність на цих частотах
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | China |
| Країна виробник | Китай |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 189 ₴