Транзистор високочастотний M9060M MRF9060M MRF9060MR1 26V 450mA 18dB 60W до 1Ghz, для модулів РЕБ
278 ₴
- Готово до відправки
- Код: 26716
Транзистор високочастотний M9060M MRF9060M MRF9060MR1 26V 450mA 18dB 60W до 1Ghz, для модулів РЕБГотово до відправки
278 ₴
+380 (66) 422-79-49
viber
- +380 (73) 670-04-40
- +380 (68) 945-23-58київстар, тільки вайбер
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Високочастотний RF транзистор MRF9060M для модуля перешкод
M9060M, MRF9060M, MRF9060MR1 — це RF потужні MOSFET транзистори з N-каналом, які призначені для використання в радіочастотних системах. Ці модулі мають високу ефективність, забезпечують стабільне підсилення сигналу та знаходять широке застосування в телекомунікаціях, радіоелектроніці та інших високотехнологічних пристроях.
Характеристики:
- Тип: N-канальний MOSFET. Це тип MOSFET, де провідність відбувається через N-тип напівпровідниковий канал. Для включення транзистора потрібно подати позитивну напругу на затвор. Його перевагами є: висока швидкість перемикання частот, низьке споживання енергії, висока ефективність
- Тип транзистора: LDMOS
- Максимальна вихідна потужність: 60W при 945MHz
- Коефіцієнт підсилення сигналу: 18 dB
- Напруга: 26V
- Робочий діапазон частот: до 1 GHz
- Струм: 450mA
- Відмінна термічна стабільність
- Вбудований захист від електростатичного розряду
- Робоча температура: -40℃~+150℃
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | China |
| Країна виробник | Китай |
Інформація для замовлення
- Ціна: 278 ₴