Транзистор высокочастотный HTN7G09S060P 28V 60W 1.8-1000Mhz, LDMOS, для модулей РЭБ

Высокочастотный RF транзистор HTN7G09S060P для модулей РЭБ

HTN7G09S060P — это мощный высокочастотный транзистор, разработанный для использования в усилителях мощности в широком диапазоне частот ISM, GSM, LTE и в системах радиоэлектронной борьбы (РЭБ).

Основные характеристики:

• Диапазон рабочих частот: 1.8 – 1000 МГц
• Напряжение питания стока (V_DS): +28 В — рабочее напряжение, подаваемое между стоком и утечкой транзистора. Обеспечивает правильную работу усилителя на полной мощности
• Выходная мощность: 60 В
• Средняя мощность: 8 В
• Форм-фактор корпуса: TO-270, 2 вывода (прямые)
• Тип транзистора: LDMOS
• Рабочая температура: -40℃~+150℃
• Отличная теплостойкость благодаря корпусу с низким тепловым сопротивлением: Благодаря специальной конструкции корпуса (TO-270) тепло быстро отводится, что обеспечивает стабильную работу даже при высокой нагрузке.
• Усиленная надежность без деградации устройства: Конструкция усилителя позволяет выдерживать тяжелые рабочие условия без потери характеристик и износа компонентов
• Встроенная защита ESD: Обеспечивает дополнительную безопасность при монтаже и эксплуатации, защищая чувствительные элементы от повреждения статическим электричеством
• Назначение: CDMA, W-CDMA, GSM EDGE/MC-GSM, TDD/FDD LTE, WiMAX, ISM-диапазоны