Транзистор высокочастотный PTF080451E 28V 15dB 45W 869-960MHz, для модулей РЭБ

Высокочастотный RF транзистор PTF080451E для модулей РЭБ

PTF080451E – это мощный высокочастотный RF-транзистор во фланцевом корпусе, разработанный для применения в радиочастотных усилителях, системах радиоэлектронной борьбы (РЕБ), передатчиках, а также ВЧ-модулях мощного класса. Благодаря полному металлическому металлическому покрытию, транзистор обеспечивает высокую надежность и длительный срок службы даже в сложных рабочих условиях.

Основные характеристики:

• Тип: N-канальный MOSFET. Это тип MOSFET, где проводимость происходит через N-тип полупроводникового канала. Его преимуществами являются: высокая скорость переключения частот, низкое потребление энергии, высокая эффективность
• Диапазон частот: 869-960 МГц
• Тип транзистора: LDMOS, предназначенный для высокочастотного аналогового усиления
• Выходная мощность: 45 Вт
• Коэффициент усиления: около 15 дБ
• Питание: 28 В
• Корпус: фланцевый, с эффективным теплоотводом – идеально для монтажа на радиаторы.
• Низкий КСВ и высокая стабильность в широком диапазоне частот
• Рабочая температура: -40℃~+150℃
• Встроенная защита от электростатических разрядов (ESD)
• Отличная термостабильность