Транзистор высокочастотный BLP15M9S70 32V 12.6A 17.8dB 70W@915MHz-2Gh, для модулей РЭБ
900 ₴
- Готово к отправке
- Код: 27116
Транзистор высокочастотный BLP15M9S70 32V 12.6A 17.8dB 70W@915MHz-2Gh, для модулей РЭБГотово к отправке
900 ₴
+380 (66) 422-79-49
viber
- +380 (73) 670-04-40
- +380 (68) 945-23-58київстар, тільки вайбер
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Высокочастотный RF транзистор BLP15M9S70 для усилителей ISM/GSM/LTE и модулей РЭБ (до 2 ГГц)
BLP15M9S70 – это мощный высокочастотный транзистор, разработанный для использования в усилителях мощности в широком диапазоне частот ISM, GSM, LTE и в системах радиоэлектронной борьбы (РЭБ) до 2 ГГц.
Основные характеристики:
- Мощность: 70W при напряжении 32V; 65W при напряжении 28V
- Напряжение: 32V, для достижения максимальной мощности и эффективности
- Пиковый импульсный ток: 12.6А
- Коэффициент усиления сигнала: 17.8dB
- Частотный диапазон: 915MHz – 2GHz
- Тип корпуса: SOT1482-1 – компактный корпус для поверхностного монтажа (SMD)
- Тип транзистора: LDMOS
- Интегрированная двусторонняя защита от ESD (электростатического разряда)
- Высокая эффективность
- Рабочая температура: -40℃~+150℃
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | China |
| Страна производитель | Китай |
Информация для заказа
- Цена: 900 ₴