Транзистор высокочастотный RD70HVF1 RD70-HVF1 12.5V 20A 10dB 70W@175MHz/50W@520Mh, для модулей РЭБ
1 244 ₴
- Готово к отправке
- Код: 27113
Транзистор высокочастотный RD70HVF1 RD70-HVF1 12.5V 20A 10dB 70W@175MHz/50W@520Mh, для модулей РЭБГотово к отправке
1 244 ₴
+380 (66) 422-79-49
viber
- +380 (73) 670-04-40
- +380 (68) 945-23-58київстар, тільки вайбер
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Высокочастотный RF транзистор RD70HVF1 для модулей РЭБ и усилителей мощности VHF/UHF
Транзистор RD70HVF1 – это мощный высокочастотный транзистор, разработанный для использования в системах радиоэлектронной борьбы и других высокочастотных приложениях. Он обеспечивает стабильную работу при низких напряжениях 12.5V и способен выдерживать ток до 20A, что делает его идеальным для повышенных нагрузок.
Основные характеристики:
- Мощность: 70W при частоте 175MHz, 50W при частоте 520MHz
- Тип: N-канальный MOSFET. Это тип MOSFET, где проводимость происходит через N-тип полупроводникового канала. Для включения транзистора необходимо подать положительное напряжение на затвор. Его преимуществами являются: высокая скорость переключения частот, низкое потребление энергии, высокая эффективность
- Коэффициент усиления сигнала: 10dB
- Напряжение: 12.5V
- Максимальный ток: 20A
- Высокая эффективность: 60% – на диапазоне VHF. 55% – на диапазоне UHF
- Рабочая температура: -40℃~+175℃
- Назначение: для модулей радиоэлектронной борьбы (РЭБ), где требуется генерирование мощных радиочастотных сигналов. Для усилителей мощности VHF/UHF диапазонов, обеспечивающих высокую эффективность на этих частотах
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | China |
| Страна производитель | Китай |
Информация для заказа
- Цена: 1 244 ₴