Транзистор высокочастотный M9060M MRF9060M MRF9060MR1 26V 450mA 18dB 60W до 1Ghz, для модулей РЭБ
291 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 300 ₴
- Готово к отправке
- Код: 26716
Транзистор высокочастотный M9060M MRF9060M MRF9060MR1 26V 450mA 18dB 60W до 1Ghz, для модулей РЭБГотово к отправке
291 ₴
+380 (66) 422-79-49
viber
- +380 (73) 670-04-40
- +380 (68) 945-23-58київстар, тільки вайбер
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Высокочастотный RF транзистор MRF9060M для модуля помех
M9060M, MRF9060M, MRF9060MR1 – это RF мощные MOSFET транзисторы с N-каналом, которые предназначены для использования в радиочастотных системах. Эти модули обладают высокой эффективностью, обеспечивают стабильное усиление сигнала и находят широкое применение в телекоммуникациях, радиоэлектронике и других высокотехнологичных устройствах.
Характеристики:
- Тип: N-канальный MOSFET. Это тип MOSFET, где проводимость происходит через N-тип полупроводникового канала. Для включения транзистора необходимо подать положительное напряжение на затвор. Его преимуществами являются: высокая скорость переключения частот, низкое потребление энергии, высокая эффективность
- Тип транзистора: LDMOS
- Максимальная выходная мощность: 60W при 945MHz
- Коэффициент усиления сигнала: 18 dB
- Напряжение: 26V
- Рабочий диапазон частот: до 1 GHz
- Ток: 450mA
- Отличная термическая стабильность
- Встроенная защита от электростатического разряда
- Рабочая температура: -40℃~+150℃
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | China |
| Страна производитель | Китай |
Информация для заказа
- Цена: 291 ₴